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晶体管发明的过程_晶体管发明的过程

时间:2026-10-27 20:58 阅读数:2824人阅读

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晶体管发明的过程

晶合集成获得发明专利授权:“半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件”,专利申请号为CN202610432589.5,授权日为2026年8月4日。专利摘要:本申请提供了一种半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件,属...

╯﹏╰ 638bf3318673476585361f4457256669.jpeg

(°ο°) 龙腾光电获得发明专利授权:“金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、...本发明的金属氧化物薄膜晶体管其制程简单,且驱动性能优良。本发明还涉及一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法和阵列基板。今年以来龙腾光电新获得专利授权81个,较去年同期增加了113.16%。结合公司2025年年报财务数据,2025年公司在研发方面投入了1.84亿元,同比减19.84%。...

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╯^╰ 晶体管漏电难题被破解,竟靠一层原子级“底漆”?我们总是被各种新奇的技术和发明所吸引。今天,我们要聊的是一种名为“原子级‘底漆涂层’”的技术,这项技术能够防止下一代晶体管漏电... 使得晶体管的制造变得更加容易。 价值总结与通识科普 原子级“底漆涂层”技术的发展,不仅简化了晶体管的制造过程,更重要的是,它能够有效...

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芯联集成获得发明专利授权:“电平位移器及其制备方法、半导体器件”新获得一项发明专利授权,专利名为“电平位移器及其制备方法、半导体器件”,专利申请号为CN202310216745.0,授权日为2026年5月15日。专利摘要:本发明提供了一种电平位移器及其制备方法、半导体器件。通过在隔离掺杂区靠近场效应晶体管的一侧设置第一掺杂类型的掩埋掺杂区...

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?0? 从广交会到科交会:中国,正在重做一次“技术定价”这个发明来自美国电话电报公司(AT&T)的贝尔实验室,在近一个世纪的时间内,贝尔实验室发明了晶体管、激光、太阳能电池、通信卫星等无数... 这个价格发现的过程,对于扭曲已久的科研资源分配具有革命性的意义:它让市场成为检验科研价值的裁判,从而倒逼高校科研从“论文导向”真...

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